TSMC 내년 5나노 공정 수주 물량 생산능력 초과할 듯
본문
삼성전자 메모리시스템반도체의 반격이냐 SK하이닉스TSMC 연합군의 수성이냐 인공지능 확산으로 고대역폭메모리 시장 경쟁이 치열해지는 가운데 내년부터 양산될 HBM4부터는 시스템 반도체 기술에서 승패가 갈릴 전망입니다.
HBM4부터 HBM에 D램뿐만 아니라 로직 즉 시스템 반도체가 탑재되기 때문입니다. 12일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 시스템LSI 사업 인력 일부를 메모리 쪽으로 이동시켰습니다. 이는 HBM4를 개발하기 위한 것으로 파악됐습니다. HBM4의 경쟁력 기반인 베이스 다이 설계 역량 강화가 목적입니다. 베이스 다이는 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 칩입니다. HBM은 D램을 수직으로 쌓아 올린 메모리로 베이스 다이가 그래픽처리장치 와 HBM을 연결하는 역할을 합니다. 삼성전자가 HBM4 개발을 위해 시스템LSI 인력을 배치한 것은 베이스 다이의 기능이 달라져서다.
지금까지는 입출력 신호를 다루는 통로 역할을 한 반면에 HBM4에서는 로직 기능이 들어간다. 디지털 신호를 처리하는 시스템 반도체의 일종이 베이스 다이에 탑재되는 것입니다. AI로 급증하는 데이터를 더욱 빠르게 처리하기 위해서다. 이에 HBM4에서는 생산 공정도 바뀐다. HBM3E까지는 베이스 다이를 D램 다이와 같은 10나노미터대 메모리 공정에서 만들었습니다. 그러나 HBM4는 베이스 다이 내 공간 확보와 전력 효율 성능 향상을 위해 5㎚ 이하 로직 공정이 검토되고 있습니다. 삼성전자가 10㎚ 미만의 초미세 공정에서 경험을 쌓은 시스템LSI 인력을 투입한 이유입니다.
이 사안에 밝은 업계 관계자는 HBM에서 로직 기술이 필요해져 삼성 시스템LSI 인력들이 메모리로 이동한 것으로 안다며 본진이 무너지면 죽는다 는 판단 하에 HBM4에 승부를 건 것이라고 말했습니다. 지난 4월 SK하이닉스와 TSMC 간 HBM4 관련 전략적 제휴도 이같은 배경에서 이뤄졌습니다. SK하이닉스는 5㎚ 공정 경험이 없는 반면 TSMC는 엔비디아 퀄컴 애플 등이 설계한 초미세 반도체들을 성공적으로 양산한 바 있습니다. SK하이닉스는 이에 HBM4 베이스 다이의 제조를 TSMC에 맡기게 된 것입니다. 반도체 업계에서는 삼성전자 시스템LSI 인력들이 3㎚ 5㎚와 같은 최선단 공정에서 시스템 반도체를 설계해왔기 때문에 HBM4에서 메모리 인력과 시너지 및 기술 경쟁력을 배가할 것으로 기대했습니다. 다만 초미세 공정 제조 에 가장 앞선 TSMC와 HBM 시장을 선점한 SK하이닉스가 손잡은 만큼 삼성의 추격이 간단치만은 않을 전망입니다. HBM4는 메모리시스템 반도체파운드리를 모두 아우르는 삼성의 종합 반도체 역량 대 SK하이닉스-TSMC 연합군 대결 구도가 되고 있습니다.
만약 삼성이 베이스 다이 설계 및 제조에서 밀리게 되면 HBM4를 만들 때 TSMC에 베이스 다이를 위탁생산해야 하는 상황을 맡게 될 수 있습니다. 김정호 한국과학기술원 교수는 HBM은 갈수록 반도체 설계자산 설계 역량 파운드리 공정이 중요해지고 있다면서 삼성전자가 종합 반도체 업체로서 능력을 보유하고 있지만 SK하이닉스는 엔비디아TSMC의 전략적 협력사로 시장 경쟁이 팽팽할 것으로 예상한다고 말했습니다. AI 열풍에 삼성 스마트폰 칩 일부까지 생산해야대만 반도체 위탁생산 업체 TSMC가 인공지능 열풍과 삼성 스마트폰용 칩 주문에 힘입어 내년 5나노미터 공정 수주 물량이 생산능력을 넘어설 수 있다는 보도가 나왔습니다. 대만 일간지 중국시보는 12일 소식통의 말을 인용해 미국 퀄컴과 대만 미디어텍 간 플래그십 스마트폰 관련 칩 개발 경쟁에 따라 내년 상반기 TSMC의 5나노 공정을 완전 가동해도 물량을 소화하기 힘들 것이라고 전했습니다. 소식통은 삼성전자가 자체 파운드리 능력의 한계로 자사 스마트폰 칩의 15 가량을 외부에 맡겨야 할 상황으로 보인다며 미디어텍이 삼성 스마트폰 칩 시장에 진출하게 됐다고 설명했습니다. 다른 소식통은 AI칩 선두주자 엔비디아가 올해 연말까지 블랙웰 시리즈 B200을 20만개 생산하고 내년 3분기에 4나노를 채택한 B300 과 B300A 를 출시할 예정이라고 설명했습니다. 이어 B300과 B300A에 각각 칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트 -L과 CoWoS-S 등 첨단 패키징 공정을 채택할 것이라며 이런 AI에 대한 수요로 인해 TSMC의 공정이 완전히 가동될 것으로 내다봤다.
대만언론은 TSMC의 CoWoS 생산량이 올해 연말과 내년 연말까지 각각 매달 3만6000개와 9만개에 달할 것이라고 전했습니다. 이 같은 관측은 미국 상무부로부터 7나노 이하 첨단 반도체를 중국 고객에게 인도하지 말라는 조치를 받은 후 나왔다는 점에서 주목됩니다. 7나노 이하 첨단 공정에서 가장 큰 비중을 차지하는 5나노 공정이 풀가동될 만큼 TSMC가 중국 고객사와 거래를 끊더라도 내년 실적엔 큰 부담이 없다는 의미로 읽히기 때문입니다. TSMC 주가는 미 당국 조치 후 이날 3. 55 나 하락한 194. 05달러로 장을 마쳤습니다. 1조 달러를 넘었던 시가총액도 8800억 달러 수준으로 떨어졌습니다.
휴먼빌 일산 클래스원 한편 시장조사업체 트렌드포스는 미 상무부의 7나노 이하 첨단 반도체의 중국 수출 제한이 강화되면 TSMC 매출의 5~8 가 줄어들 것으로 예측했습니다.
HBM4부터 HBM에 D램뿐만 아니라 로직 즉 시스템 반도체가 탑재되기 때문입니다. 12일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 시스템LSI 사업 인력 일부를 메모리 쪽으로 이동시켰습니다. 이는 HBM4를 개발하기 위한 것으로 파악됐습니다. HBM4의 경쟁력 기반인 베이스 다이 설계 역량 강화가 목적입니다. 베이스 다이는 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 칩입니다. HBM은 D램을 수직으로 쌓아 올린 메모리로 베이스 다이가 그래픽처리장치 와 HBM을 연결하는 역할을 합니다. 삼성전자가 HBM4 개발을 위해 시스템LSI 인력을 배치한 것은 베이스 다이의 기능이 달라져서다.
지금까지는 입출력 신호를 다루는 통로 역할을 한 반면에 HBM4에서는 로직 기능이 들어간다. 디지털 신호를 처리하는 시스템 반도체의 일종이 베이스 다이에 탑재되는 것입니다. AI로 급증하는 데이터를 더욱 빠르게 처리하기 위해서다. 이에 HBM4에서는 생산 공정도 바뀐다. HBM3E까지는 베이스 다이를 D램 다이와 같은 10나노미터대 메모리 공정에서 만들었습니다. 그러나 HBM4는 베이스 다이 내 공간 확보와 전력 효율 성능 향상을 위해 5㎚ 이하 로직 공정이 검토되고 있습니다. 삼성전자가 10㎚ 미만의 초미세 공정에서 경험을 쌓은 시스템LSI 인력을 투입한 이유입니다.
이 사안에 밝은 업계 관계자는 HBM에서 로직 기술이 필요해져 삼성 시스템LSI 인력들이 메모리로 이동한 것으로 안다며 본진이 무너지면 죽는다 는 판단 하에 HBM4에 승부를 건 것이라고 말했습니다. 지난 4월 SK하이닉스와 TSMC 간 HBM4 관련 전략적 제휴도 이같은 배경에서 이뤄졌습니다. SK하이닉스는 5㎚ 공정 경험이 없는 반면 TSMC는 엔비디아 퀄컴 애플 등이 설계한 초미세 반도체들을 성공적으로 양산한 바 있습니다. SK하이닉스는 이에 HBM4 베이스 다이의 제조를 TSMC에 맡기게 된 것입니다. 반도체 업계에서는 삼성전자 시스템LSI 인력들이 3㎚ 5㎚와 같은 최선단 공정에서 시스템 반도체를 설계해왔기 때문에 HBM4에서 메모리 인력과 시너지 및 기술 경쟁력을 배가할 것으로 기대했습니다. 다만 초미세 공정 제조 에 가장 앞선 TSMC와 HBM 시장을 선점한 SK하이닉스가 손잡은 만큼 삼성의 추격이 간단치만은 않을 전망입니다. HBM4는 메모리시스템 반도체파운드리를 모두 아우르는 삼성의 종합 반도체 역량 대 SK하이닉스-TSMC 연합군 대결 구도가 되고 있습니다.
만약 삼성이 베이스 다이 설계 및 제조에서 밀리게 되면 HBM4를 만들 때 TSMC에 베이스 다이를 위탁생산해야 하는 상황을 맡게 될 수 있습니다. 김정호 한국과학기술원 교수는 HBM은 갈수록 반도체 설계자산 설계 역량 파운드리 공정이 중요해지고 있다면서 삼성전자가 종합 반도체 업체로서 능력을 보유하고 있지만 SK하이닉스는 엔비디아TSMC의 전략적 협력사로 시장 경쟁이 팽팽할 것으로 예상한다고 말했습니다. AI 열풍에 삼성 스마트폰 칩 일부까지 생산해야대만 반도체 위탁생산 업체 TSMC가 인공지능 열풍과 삼성 스마트폰용 칩 주문에 힘입어 내년 5나노미터 공정 수주 물량이 생산능력을 넘어설 수 있다는 보도가 나왔습니다. 대만 일간지 중국시보는 12일 소식통의 말을 인용해 미국 퀄컴과 대만 미디어텍 간 플래그십 스마트폰 관련 칩 개발 경쟁에 따라 내년 상반기 TSMC의 5나노 공정을 완전 가동해도 물량을 소화하기 힘들 것이라고 전했습니다. 소식통은 삼성전자가 자체 파운드리 능력의 한계로 자사 스마트폰 칩의 15 가량을 외부에 맡겨야 할 상황으로 보인다며 미디어텍이 삼성 스마트폰 칩 시장에 진출하게 됐다고 설명했습니다. 다른 소식통은 AI칩 선두주자 엔비디아가 올해 연말까지 블랙웰 시리즈 B200을 20만개 생산하고 내년 3분기에 4나노를 채택한 B300 과 B300A 를 출시할 예정이라고 설명했습니다. 이어 B300과 B300A에 각각 칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트 -L과 CoWoS-S 등 첨단 패키징 공정을 채택할 것이라며 이런 AI에 대한 수요로 인해 TSMC의 공정이 완전히 가동될 것으로 내다봤다.
대만언론은 TSMC의 CoWoS 생산량이 올해 연말과 내년 연말까지 각각 매달 3만6000개와 9만개에 달할 것이라고 전했습니다. 이 같은 관측은 미국 상무부로부터 7나노 이하 첨단 반도체를 중국 고객에게 인도하지 말라는 조치를 받은 후 나왔다는 점에서 주목됩니다. 7나노 이하 첨단 공정에서 가장 큰 비중을 차지하는 5나노 공정이 풀가동될 만큼 TSMC가 중국 고객사와 거래를 끊더라도 내년 실적엔 큰 부담이 없다는 의미로 읽히기 때문입니다. TSMC 주가는 미 당국 조치 후 이날 3. 55 나 하락한 194. 05달러로 장을 마쳤습니다. 1조 달러를 넘었던 시가총액도 8800억 달러 수준으로 떨어졌습니다.
휴먼빌 일산 클래스원 한편 시장조사업체 트렌드포스는 미 상무부의 7나노 이하 첨단 반도체의 중국 수출 제한이 강화되면 TSMC 매출의 5~8 가 줄어들 것으로 예측했습니다.
- 이전글문소리 정년이 속 추월만정 1000번 넘게 연습 24.11.12
- 다음글대만언론 TSMC 내년 5나노 가동률 100 넘어설 것 24.11.12